图3 LDO简单结构

    降低输出噪声的方法

    ● BP 端加旁路电容

    为降低基准噪声，需要在基准的输出端增加一路低通滤波器，滤波器可以集成在LDO内部或由外部电路实现。但内置滤波器占用了较大的管芯尺寸，增加了芯片的设计和生产成本。为此，有些低噪声LDO芯片只是提供一个基准的引脚BP（Bypass）,用于连接基准旁路电容。

    连接基准旁路电容可降低基准噪声，使基准噪声成为产生LDO输出噪声的次要因素。建议使用典型值为 470pF～0.01μF的陶瓷电容，也可使用此范围以外的电容，但会对输入电源上电时LDO 输出电压上升的速度产生影响。旁路电容值越大，输出电压上升速率越慢。在使用时要注意这点。

    图4为旁路电容对SG2001输出噪声的影响。由图可见，随着旁路电容的增大，输出噪声也会有一定程度的减少。

图4 旁路电容对SG2001输出噪声的影响

    ● 减小LDO的负载电流。

    负载电流也会在一定程度上影响LDO的输出噪声。图5为负载电流对SGM2007输出噪声影响。由图可见，随着负载电流的增大，输出噪声也会有一定的增加。为了减小负载电流对LDO输出噪声的影响，要尽量选择输出电流大的LDO。

图5 负载电流对LDO噪声的影响

    ● 增大LDO的输出电容

    LDO需要连接外部输入和输出电容器。利用较低ESR的大电容器一般可以全面提高电源抑制比(PSRR)、噪声以及瞬态性能。陶瓷电容器通常是首选，因为其价格低且故障模式是断路模式。此外，输出电容器的等效串联电阻(ESR)也会影响其稳定性。陶瓷电容器具有较低的ESR，大概为10 mΩ量级。