全球主要半导体组织都在全力推进3D IC的各种标准。国际半导体设备材料产业协会成立了4个致力于3D IC标准制定的工作小组。其3DS-IC标准委员会包括SEMI会员格罗方德、HP、IBM、英特尔、三星等。半导体制造联盟成立了3D芯片设计中心，成员包括Altera、ADI、LSI、安森美、高通等。Sematech联盟还建立了一条300毫米的3D IC试产线。
据分析，当单个IC 的平面面积大于两平方厘米后，其各功能区和晶体管之间的连线平均长度要比用3D多层布线的连线长度至少长10倍以上，信息传递的延迟时间自然就长很多，这会极大地降低整体IC的运行速度和性能。而用3D布局布线方法，将单个芯片划分成几个小区域进行流片，然后用3D堆叠和硅通孔的工艺和封装方法进行“组装”，可以大规模地减少平均连线长度，降低信号延迟时间，提高IC的性能，而且更加适应于今后SoC技术的发展趋势。
但也许目前这些采用3D 堆叠和硅通孔的工艺和封装方法制造的IC也只是一个过渡方法，目前已经开始崭露头角并日益进入实用化的3D打印制造技术才是未来最终的3D IC制造方法。而这些方法都可以从根本上提高单位体积中的晶体管数量，而无须进一步沿着晶圆不断增大的方向去发展。