美国能源部（DOE）下属能源转换机构ARPA-E已经选定氮化镓对氮化镓（GaN-on-GaN）新成立公司Soraa来引领GaN基质研发项目。

新成立公司Soraa在二月份举办的照明策略大会（the Strategies in Light Conference）上毫无动静，但随后凭借GaN-on-GaN LED技术崛起，目前，该公司宣称将引领专注于GaN基质研发的DOE项目。美国能源部称之为先进研究项目结构--能源（ARPA-E，Advanced Research Projects Agency - Energy），2011年初始资金资助Soraa，现在Soraa已经成为DOE的优先合同商。

Soraa认为，GaN能立即应用到亮度更高的LED和其他行业中。对基质和外延层使用相同的材料能更好地与水晶结构相结合。Soraa表示，这能够驱动更高电流的LED，而实现更低的偏差。

Soraa指出，半导体行业中的其他分部使用称之为同底基质的材料，如用于制造微处理器等大量数字IC的硅对硅（silicon-on-silicon）技术。在LED和其他应用中采用GaN-on-GaN技术已经受到了基质高成本的阻挠。ARPA-E机构希望利用此次机会研发出美国开发的解决方案。

Soraa创始人Shuji Nakamura在其研发高功率LED工作中具有丰富的GaN经验。Shuji Nakamura表示，"我已经花费数十年的时间来研究LED中的氮化镓，因为我相信这是一项很重要的开发，并在照明、电力电子和其他领域的节能技术上具有广阔的前景"。

"ARPA-E很清楚Soraa的系统设计和能力代表了一条通往高质量和低成本GaN基质的突破之路"，ARPA-E项目总监Mark Johnson表示，"我们很高兴支持他们开发、提高晶体质量和设备性能"。

DOE认为，GaN基质具有极大减少美国能源消耗的潜能。再者，DOE预测LED、激光器二极管和电力电子等GaN产品每年的市值超过500亿美元。

"对于ARPA-E承认Soraa的GaN基质技术，我们感到很高兴和很荣幸"，Soraa在该项目的首席投资者Mark D'Evelyn表示，"DOE对该转换技术的认知和支持有望加快提升节能水平，加强美国LED技术的能力和提高其他众多应用的性能"。