随着降低环境负荷的要求日益提高，功率元器件市场在不断增长。而且，为了进一步减少电力损失，以SiC等新一代材料取代现行Si的动向也日益活跃。日前，记者就蓬勃发展的功率元器件市场，采访了曾在德国英飞凌大幅提高了该业务的业绩并负责该公司战略发展、并购及营销的管理委员会成员阿瓦加伊·米塔尔（Arunjai Mittal）。

――您如何看待功率元器件市场？

米塔尔：功率元器件市场今后还将继续增长。但增长空间会因采用功率元器件的各用途情况的不同而异。

――SiC作为新一代材料而备受关注。请介绍一下其优势。

米塔尔：SiC的主要优势是，可以提高效率，并提高输出功率密度。而且，还适合高温运行，所以冷却机构可简化。由于还能实现高速开关动作，因此被动元器件的尺寸可缩小。

――SiC市场将会如何？

米塔尔：我认为SiC市场今后还会扩大。然而因材料费较高，单个元器件还很昂贵。因此，如果不在采用SiC功率元器件会在多大程度上改变系统的成本这一点上得到用户的认可，就不可能很快扩大应用。例如，虽然元器件成本升高，但通过使用SiC而使冷却机构得以简化，使系统整体的成本与原来相同，或者低于以前。

因冷却机构的简化，所用的铜等材料也可减少。据认为今后地球上铜、铁及石油等多种资源的供求形势会比现在还要严峻。惟其如此，更需要尽量减少冷却机构等使用的部材，而在需要降低整体系统成本的用途上，我认为可以采用SiC。

――请介绍一下SiC适合的用途。

米塔尔：SiC适合的领域，有前述那样希望减少冷却机构的用途、要求高转换效率及输出功率密度的用途，以及要求以高频率开关的用途等。

例如，光伏发电系统就适合采用SiC。这是因为该领域要求尽量提高效率。除了提高太阳能电池板的光电转换效率之外，还要求转换并输送电力的部分降低损耗。这里可发挥SiC的低损耗性作用。

――最近，贵公司决定推出SiC制JFET。

米塔尔：我们数年前就开始在提供SiC制JFET的样品。此次终于推出了产品。决定推出产品的原因是，我们在SiC方面积累了不少技术经验，且正好赶上了制造成本比以前还要低的时机。

JFET与MOSFET相比，最大的优势在于，因去掉了栅极氧化膜，所以不会发生因之而起的可靠性降低。

――在SiC备受关注的同时，新涉足用Super Junction（SJ）构造的Si制MOSFET业务的企业在增加。

米塔尔：节能领域是一个增长市场。因此，从事SJ型MOSFET业务的企业也在不断增加。传统型MOSFET的封装面积有限，在这样的面积中制作损耗更小的元器件存在限制。因此，采用SJ构造的企业才会不断增加。

我想对新涉足SJ构造MOSFET业务的企业说声“Good luck!”。这句话含有两层意思。一个是希望这种MOSFET能够有助于解决地球能源问题。另一个是希望这些企业“好好干”。但我们（英飞凌）在SJ构造MOSFET方面拥有丰富的经验。

――关于Si制IGBT，有意见认为性能提高的潜力变小了。

米塔尔：IGBT性能的提高确实被认为正在接近极限。但或许会发生“硅反击战”，而不是星球大战“帝国反击战”。