您好，欢迎光临！   请登录 免费注册    
  您的位置：电子变压器资讯网 > 资讯中心 >  综合领域 > 正文
飞思卡尔：MRAM产品量产
[发布时间]：2009年7月3日 [来源]： [点击率]：1733
【导读】：     飞思卡尔半导体目前已经批量生产和提供其首款商用磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。该公司4Mb MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，结合了其他任何单个半导...
    飞思卡尔半导体目前已经批量生产和提供其首款商用磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。该公司4Mb MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，结合了其他任何单个半导体存储器都不具备的多种特性。该设备基于飞思卡尔的超过100项专利所保护的技术。
    同时，Freescale宣称其新器件平衡了读写速度，均达到类似于DRAM的35ns水平。该器件也有类似DRAM和闪存的单元密度，但是不会出现DRAM的渗漏问题。这款MRAM器件也可以像DRAM或SRAM一样具有持久性，综合了闪存的非易失性特点。
    编辑点评：Freescale采用了一个创新的MRAM单元结构来解决成本问题。MRAM模块不破坏标准半导体制造过程，将推动未来MRAM发展成基本的CMOS技术。
投稿箱：
   电子变压器、电感器、磁性材料等磁电元件相关的行业、企业新闻稿件需要发表，或进行资讯合作，欢迎联系本网编辑部QQ： ， 邮箱：info%ett-cn.com (%替换成@)。
第一时间获取电子变压器行业资讯，请在微信公众账号中搜索“电子变压器资讯”或者“dzbyqzx”，或用手机扫描左方二维码，即可获得电子变压器资讯网每日精华内容推送和最优搜索体验，并参与活动！
温馨提示：回复“1”获取最新资讯。