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LTE芯片:加快补齐LTE 商用“短板”
[发布时间]:2012年5月16日 [来源]:中国电子报 [点击率]:3244
【导读】: LTE芯片可谓是LTE发展的一道短板,但随着运营商部署的推进,相关芯片厂商也在加速攻关。一件引人注目的事件是联芯科技发布了INNOPOWER原动力系列芯片的最新产品。具有标志意义的是LTE多模芯片...

中兴通讯微电子研究院技术总监朱晓明告诉记者:“从目前的应用上讲,45nm工艺终端芯片支持多模手机是没有问题的。LTE模块耗电虽然有些高,但是传输速度大,耗时就会短,实际上是省电的。LTE真正要把潜能发挥出来,比如容量更大、传输速度更高、能耗更低,则需要28nm的工艺。LTE大规模的推出需要等到2013年。”

TD-LTE技术优势主要体现在数据业务上。在TD-LTE发展初期和此后较长一段时间内,支持数据业务的数据卡、MIFI等数据类终端产品将是市场主要的产品形态。

“LTE智能终端只有在话音、功耗、体积、应用等终端环节解决后才可能规模发展,预计将在2014年之后。”彭大芹认为。

未来TD-LTE将向TD-LTE-A演进,需要支持更高速率的传输,这对芯片厂商提出了更高的要求。

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