l 有半个体二极管，不需要反并联SBD以降低续流损耗并提升效率
l 封装种类齐全，包括贴片QFN/DFN/TOLL和插件TO-220/TO-247等封装形式，覆盖全功率范围应用场景
l 有直接替代料，持续大批量供货无忧
但是，氮化镓普遍存在一些局限，包括雪崩能力偏弱，漏源需要提升过电压能力；还有电流抗冲击能力有待提升，在半桥电路中要预防上下管直通。针对前者，镓未来氮化镓过压能力突出，比如标定耐压650V器件，其Vds在800V下非可重复和750V下可重复的尖峰电压持续时间高达30us。针对后者，驱动器需要具备Interlock功能，即当DSP数字控制器或者模拟控制器给出的上下管驱动电压同时为高时，驱动器通过自身逻辑控制，将上下管驱动电压锁定为低，确保氮化镓器件不会直通并安全工作。在AC输入动态、DC输出动态、雷击浪涌等情况下，DSP数字控制器或模拟控制器可能因为外部干扰，输出误动作信号，具有Interlock功能的驱动器可以有效的保护氮化镓器件。
镓未来应用开发团队具有丰富的数字控制和模拟控制经验，已经将半桥氮化镓驱动电路归一化，即统一采用纳芯微NSi6602隔离驱动器。
NSi6602隔离驱动器系统框图
根据NSi6602的逻辑表，DT脚实现输出Interlock功能或者死区调节功能。同时，NSi6602输入信号和输出信号隔离，这样便于PCB板布线，进一步提升抗干扰性能。NSi6602抗共模干扰能力CMTI高达150V/ns，这个在大功率短路和过流保护的时候很重要。另外其上下驱动的差模电压可达1500V，也适用于900V氮化镓器件以及三相系统的应用。
NSi6602逻辑表
好马配好鞍，镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，成双成对出现，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值，让工程师放心无忧采用氮化镓。
在实际应用中，BTP PFC采用两颗NSi6602，分别驱动两颗氮化镓快管和两颗Si MOSFET慢管。在LLC部分，如果是半桥LLC，采用一颗NSi6602，如果是全桥LLC，采用两颗NSi6602。
NSi6602典型应用图
针对不用的应用要求，NSi6602提供了不同隔离电压等级和封装类型的系列产品，具体参考下表。
NSi6602隔离驱动器产品选型表
第三部分：丰富的应用案例
便携式储能用GaN双向逆变器：
l AC侧支持全球电压范围，包括中欧规和美日规
l DC侧典型电压为48V，可定制
l 功率为2kW，支持各种过载工作
l BTP PFC采用两颗G1N65R035TB-N (35m /650V, TO-247-3L)氮化镓和两颗NSi6602B-PSDNR，工作频率为65kHz
l 全桥LLC采用四颗G1N65R070TA-H (70m /650V, TO-220)氮化镓和两颗NSi6602B-PSDNR，谐振频率为120kHz