面临诸多挑战
　　中国证券报从峰会现场了解到，Micro-LED的产业化之路并不容易。有观点认为还需要2-3年时间，也有人认为需要3-5年时间。这与Micro-LED显示产业仍要解决的诸多问题密切相关。
　　巨量转移(包括传递、检查、测试、修复)是制作Micro-LED显示屏的关键技术。传统的LED在封装环节，主要采用真空吸取的方式进行转移。由于真空管在物理极限下只能做到大约80微米，而Micro-LED的尺寸基本小于50微米，所以真空吸附的方式在Micro-LED时代不再适用。目前，Micro-LED的巨量转移技术包括精准抬放技术(分为静电力、凡德瓦力、磁力)、自组装技术、选择性释放技术、转印技术和COB技术。
　　巨量转移存在两大挑战：Micro-LED芯片在进行大量、多次转移时的良率必须达到99.9999%，精准度控制在±0.5微米以内;RGB全彩显示需要对红、蓝、绿芯片分别转移，要求精准定位灯珠。比如，量产分辨率为FHD(全高清)的Micro-LED屏幕，需要1920*1080个像素，也就是200万个像素。而每个像素由R、G、B三个Micro-LED芯片组成，需要600万颗Mciro-LED。一块屏幕需要600万颗微米级别的LED芯片等。
　　巨量转移技术不够成熟会影响产品的良率和转移效率，进而推高制造成本。这也是目前少数大尺寸Micro-LED产品售价高昂的原因。成本下不来，Micro-LED的量产就会很艰难。同时，由于存在多个巨量转移技术，企业面临选择问题。
　　其他方面的问题还有类似于效率越高LED芯片要做得越小，且要确保每一颗芯片的光电性能都一样;三基色Micro-LED的像素光源问题。目前主要采用蓝光+荧光粉的解决方案，需要解决红光问题;三基色Micro-LED的像素组装尺寸微米化受限，难以实现超高密度封装等。

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