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宜普电源转换公司(EPC)推出面向48 V DC/DC电源转换、马达控制及激光雷达应用的100 V氮化镓(eGaN?)功率晶体管
[发布时间]:2019年3月22日 [来源]:电子产品世界 [点击率]:11273
【导读】: 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为13.5 m及脉冲输出电流高达74 A 以支持高效功...

  宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为13.5 m?及脉冲输出电流高达74 A 以支持高效功率转换。

  要求更高的效率及更高的功率密度的应用,不需要选择小尺寸还是高性能了,因为EPC2052可以同时实现小尺寸及高性能! EPC2052的尺寸只是1.5毫米乘1.5毫米(即2.25平方毫米)。EPC2052的占板面积虽然小,它工作在48 V–12 V降压转换器、500 kHz频率下开关及10 A输出电流时,可实现超过97%的效率!如果在1 MHz、10 A输出电流时,则可实现超过96%的效率。此外,低成本的EPC2052与等效硅MOSFET的成本可比。受惠于EPC2052的高性能、小尺寸及低成本优势的应用包括面向运算及通信系统的48 V输入功率转换器、激光雷达、LED照明及D类音频放大器。

  宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说:“氮化镓(eGaN)器件在高频下工作可实现高效率,在性能及成本方面得以扩大与等效硅基器件的绩效差距。100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管比等效MOSFET小型化很多,而且它可以在高频下工作,从而让设计师可以进一步节省占板面积。”

  开发板

  EPC9092开发板的器件的最大电压为100 V、半桥式、采用EPC2052晶体管及TI公司的栅极驱动器(LMG1205)。开发板的尺寸为2英寸乘2英寸(50.8毫米乘50.8毫米),专为最高开关性能而设,而且包含所有重要组件,使得工程师可以易于对100 V的EPC2052 eGaN FET进行评估。

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