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美方采用纳米阵列结构生长深紫外LED，有望突破光效瓶颈
[发布时间]：2017年12月27日 [来源]：材料深一度 [点击率]：3588
【导读】： 近日，来自美国和加拿大的研究人员联合发布采用铝镓氮(AlGaN)纳米阵列技术的深紫外(UVC)LED以追求更高光效性能。背景　　　由于现阶段采用AlGaN材料LED的外量子效率(EQE)通常小于1...

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