您好,欢迎光临!   请登录 免费注册    
  您的位置:电子变压器资讯网 > 资讯中心 >  产品动态 > 正文
星联合IBM开发首款5nm芯片,手机续航提升2、3倍
[发布时间]:2017年6月6日 [来源]:集微网 [点击率]:1601
【导读】: 网讯,根据国外科技网站 CNET 的报导,南韩科技大厂三星当前已经联合了蓝色巨人 IBM,研发出全球首款 5 nm制程的芯片。根据报导指出,日前三星联合 IBM 宣布了一项名为 nanosheet...

  网讯,根据国外科技网站 CNET 的报导,南韩科技大厂三星当前已经联合了蓝色巨人 IBM,研发出全球首款 5 nm制程的芯片。

  根据报导指出,日前三星联合 IBM 宣布了一项名为 nanosheets 的技术。 受惠于该技术的突破,芯片制造商能够将更多的晶体管容纳到更小的芯片组里。 相较于目前制程所生产的芯片,三星预计在同样水平的功耗底下,足足可以提升 40% 性能表现。 或者,在获得同样的性能表现下,使用新技术的芯片仅需目前芯片的 1/4 功耗。

  如今,在三星、台积电都已经在芯片生产上快入10nm的时候,英特尔还在坚持着 14nm制程。 尽管,英特尔宣称他的 14nm要比竞争对手的 10nm还要优秀。 但不可否认的是,在制程技术上,英特尔确实已经开始落后。 如今,在制成技术的进步步伐上,三星更是跨过了下一代 7nm世代,携手 IBM 推出了全球首款 5nm制程的芯片。

  由于更先进制造技术,就意味着能在更小的芯片上整合更多的晶体管,使芯片发挥更高的效能。 IBM 的高层表示,由于 nonasheets 技术的 5nm芯片开发成功,未来将在更小的体积上提供更优的能耗表现。

  据IBM介绍,新技术能够将更多的晶体管容纳到更小的芯片组里,据称一块指甲盖大小的芯片上集成晶体管数量可达300亿,比起几年前7 nm芯片集成200亿个晶体管的突破也毫不逊色。

  IBM认为该技术有助于其重要战略支柱之一认知计算(Cognitive Computing)的研发以及物联网和其他“数据密集型计算”任务的执行。当然,公司也为移动设备的未来绘制了一个美好的画面:除了降低成本,提升性能等优势之外,未来手机设备的续航也可增长2到3倍,而这一点也是目前众多手机制造商所关注的一个方面。但目前5 nm芯片离商业化还尚有一段距离。

(敬请关注微信号:dzbyqzx)

投稿箱:
   电子变压器、电感器、磁性材料等磁电元件相关的行业、企业新闻稿件需要发表,或进行资讯合作,欢迎联系本网编辑部QQ: , 邮箱:info%ett-cn.com (%替换成@)。
第一时间获取电子变压行业资讯,请在微信公众账号中搜索“电子变压器资讯”或者“dzbyqzj”,或用手机扫描左方二维码,即可获得电子变压器资讯网每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
温馨提示:回复“1”获取最新资讯。