今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。

　　对于3D NAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多，厂商也会借此降低成本，提高产量。以美光为例，他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的，MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb，而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb，TLC更是达到384Gb，大大高于2D NAND闪存。

　　在转向3D NAND方面，实力最强的三星跑得最快，东芝/闪迪、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比较慢的了，不过一旦3D NAND闪存开始量产，由于容量先天性的优势，产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上就确认，该公司的3D NAND闪存产能与2D NAND闪存已经来到拐点上，也就是说3D闪存的产能(以bit容量计)要超过2D NAND闪存了。

　　Ernie Maddock还提到他们第一代3D NAND闪存在降低成本上已经达到预期目标，此前美光在今年上半年的路线图上指出3D NAND闪存比2D NAND降低至少20%的成本，现在已经实现了20-25%的成本降低。

　　对美光来说，好事还不止这一件，他们的第二代3D NAND闪存也要量产了，早前美光公布消息称第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工厂开始生产，相比目前的32层堆栈，第二代3D NAND闪存堆栈层数提升到64层，容量进一步提高，成本也会进一步降低30%。

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