台积电、三星、格罗方德等半导体大厂开启在7 纳米制程争战，而现在台积电有望领先群雄在2017 年国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference，ISSCC)率先发布7 纳米FinFET 技术!

　　全球IC 设计领域论文发布最高指标国际固态电路研讨会(ISSCC)下届确定于2017 年2月5~9 日在美国加州登场，台积电设计暨技术平台组织副总侯永清将担任特邀报告(Plenary Talks)讲者。

　　这次台积电5 篇论文获选(美国台积电1 篇)，2 篇论文为类比电路领域，内存电路设计则有3 篇。

　　值得关注的是，此次台积电将领先业界在大会上发布7 纳米FinFET 技术。揭示迄今最小位数SRAM 在7 纳米FinFET 的应用，验证0.027μm2 256 Mbit SRAM 测试芯片在7 纳米制程下，能大幅提升手机、平板电脑中央处理芯片运算速度，同时满足低功率需求。

　　台积电、三星通常以SRAM、DRAM 来练兵，先从内存下手，当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。台积电先前预估 10 纳米年底量产、7 纳米最快 2018 年第一季生产，然在英特尔宣布放缓 10 纳米以下制程投入进度后，台积电与三星在10 纳米、7 纳米先进制程展开激烈缠斗。

　　三星在10月初抢先台积电宣布10 纳米量产，市场近期传出台积电 7 纳米最快在明年2017 就可试产、4 月接单，拉升7 纳米制程战火。三星在7纳米就引进极紫外光(EUV)微影设备，力拼2017 年年底7 纳米量产。

　　而格罗方德则宣布跳过10 纳米，直接转进7 纳米，预估2017年下半可进行产品设计定案(tape out)，2018 年初开始风险生产(risk production)。

　　（敬请关注微信号：dzbyqzx）