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采用超组合技术，东芝功率MOSFET导通阻抗降低60％
[发布时间]：2008年11月28日 [来源]： [点击率]：1938
【导读】：     日本东芝公司(Toshiba)日前宣布，一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超结合技术，DTMOS的导通电阻(RDSon)仅相当于传统...
    日本东芝公司(Toshiba)日前宣布，一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超结合技术，DTMOS的导通电阻(RDSon)仅相当于传统的MOSFET的40%左右，可降低功耗。在采用这项技术的系列产品中第一个产品是0TK15A60S，它的市场定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器。
    由于拥有垂直通道，超结合技术结构可以允许电流在硅衬底顺利流通，降低了导通电阻，突破了硅晶体理论极限。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上，在同系列的东芝DTMOS设备，导通状态电阻可降低60%的电力消耗，并且与东芝传统的MOSFET相比，RDSon的闸极电荷(Qg)减少40%。因此，RDSon x Qg(a)最显著的特征就是其MOSFET性能指标(数值越低越好)仅是公司传统的MOSFET的四分之一。
    随着这项最新技术的宣布，东芝公司把超结合技术结构与公司独创的深蚀刻技术开发的MOSFET (DTMOS)结合起来。这两项技术的结合在市场上还是首次应用。在采用这项技术的系列产品中第一个产品叫做TK15A60S，最高技术性能为：电流15安培、600伏特，电阻0.3欧姆，样品于2005年3月面世。
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