功率半导体的SiC之路期待突破
　　电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管(可控硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和刚显露头角的碳化硅(SiC)系列大功率半导体器件。晶闸管发展已有近六十年历史，技术成熟也得到广泛应用，可以借鉴它的历史来预测碳化硅功率器件。想当初IGBT兴起时，与晶闸管参数指标相差极大，晶闸管已能做到2-3KV、2-3KA时，IGBT仅仅是电流过百、电压过千。在短短的二十几年间，IGBT从第一代迅速发展到第六代，电压和电流已与晶闸管并驾齐驱，显示出IGBT优越性能。晶闸管能干的IGBT全能干、IGBT能干的晶闸管干不了，在相当大的一片应用领域里IGBT因其不可替代的优越性能独居鳌头。但是晶闸管仍以其比较高的性价比守住了自己的大片阵地。碳化硅材料技术的进展已使部分碳化硅功率器件用于实际成为可能。但还有许多关键的技术问题需要解决。晶闸管电流从小到大、电压从低到高经历了数十年的风风雨雨，IGBT也有这样的一个不凡的过程。可见SiC功率器件的发展也会有一个漫长的过程。

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