打破LED专利“魔咒”
　　随着越来越多企业的投入和硅衬底技术的日益成熟，LED芯片市场格局将有望被改写。众所周知，目前蓝宝石衬底和碳化硅衬底核心技术均掌握在欧美、日韩等国际巨头手中，对我国LED产业发展形成专利壁垒。而硅衬底技术则是一条完完全全由国人自主掌握核心技术的路线。
　　“我国LED照明产业起步较晚，但是发展迅猛。目前全球70%的LED照明产品在中国生产制造，我国LED生产企业数量在2万家以上，然而销量却未与之形成正比。这主要是由于中国缺乏关键技术所致。”南昌大学江风益教授表示。
　　“2010年以后，国内开始发展LED产业，市场主流是引进蓝宝石衬底技术的方式，但是国外专利体系完备，形成了专利封锁线，国内产品很难往外面卖，国外产品在国内利润又很高。”晶能光电(江西)有限公司外研中心副总裁付羿博士有着同样的担忧。
　　硅衬底技术的出现则另辟蹊径解决了我国专利缺失的问题。据悉，在硅上制备高光效GaN基LED一直是学术界梦寐以求的目标，然而由于硅和GaN巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅上制备高光效GaN基LED是不可能的事，硅衬底GaN基LED路线几乎被判“死刑”。
然而经过数千次实验，南昌硅衬底LED项目技术研发团队终于在国际上率先攻克了这一世界难题。同时，在晶能光电每年8000万元以上研发经费的推动下，所生产的硅衬底LED产品各项指标在同类研究中均处于国际领先水平，并与前两条技术路线持平。目前，晶能光电围绕硅衬底LED技术已经申请或拥有国际国内专利330多项，已授权专利147项，其中国际专利47项。

　　有望掀起LED“芯”革命
　　硅衬底LED技术从衬底源头上避开了蓝宝石衬底和碳化硅衬底技术路线所形成的国际专利围剿，可从小功率LED芯片技术到高难度的大功率LED芯片技术，形成自有的专利体系。同时它也是中国自主研发、拥有完全自主知识产权的技术路线，将构建中国LED产业标准，对我国的LED产业格局有望产生革命性的影响。
　　清楚LED发展历史的人都知道，硅衬底LED技术改写了半导体照明历史。“用普通的设备，更低成本的工艺生产LED”，美国麻省理工大学《科技创业》杂志2011年评选的“全球最具创新力企业50强”中，晶能光电凭此与Apple、IBM等公司一同上榜。
　　“这一技术改变了日本公司垄断蓝宝石衬底和美国公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅基半导体照明技术方案‘三足鼎立’的局面。”国家“863”专家组如是评价。
　　“中国已经超越美国成为全世界最大的LED应用市场，如果硅基氮化镓技术获得中国政府大力推广，中国市场的变化最终也会牵引全球产业变迁。”有LED行业人士如此分析。
　　除LED照明领域外，接受采访的业内人士均看好硅基氮化镓在集成电路领域的广泛应用。某LED上市公司研发人员表示，虽然公司暂未涉及硅基发光领域的研究，但非常看好硅基氮化镓与IC制程的结合，这可能将使得计算机CPU实现光子传输。一位业内致力于该领域的人士则称硅基氮化镓在硅光子、传感器、功率器件、RF射频等领域都具有广泛的应用需求。
　　“从国家战略层面而言，硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，完全可以构建中国完全自主的LED产业。未来，随着硅衬底高光效GaN基LED逐步在中国取得突破，它将打破由日、美公司的蓝宝石和碳化硅衬底的技术垄断，形成半导体照明技术三足鼎立的局面。”参与本次项目工作的晶能光电(江西)硅基LED研发副总裁孙钱表示。

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