将智能引入功率技术
　　随着汽车产业的发展以及人们环保意识的抬头，节能的绿色动力已成为汽车发展的主流和消费者关注的热点，将智能引入功率技术，以智能方式提高能效，是未来的发展趋势。
　　近日，意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计，内部集成快速恢复体二极管(fast body diode)、恢复软度系数更高的换向行为(commutation behavior)和背对背栅源齐纳(gate-source zener)二极管保护功能，是全桥零压开关拓扑的理想选择。