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南昌创造的硅衬底LED打破美日专利垄断
[发布时间]:2016年1月11日 [来源]:中国江西网 [点击率]:2257
【导读】: 南昌硅衬底LED项目喜获国家技术发明一等奖的消息轰动全国、引世界瞩目。那么,硅衬底LED项目是什么为什么能获得如此高的荣誉将给中国乃至世界经济社会发展带来哪些影响带着这些疑问,笔者走进晶能光电(江...

  南昌硅衬底LED项目喜获国家技术发明一等奖的消息轰动全国、引世界瞩目。那么,硅衬底LED项目是什么?为什么能获得如此高的荣誉?将给中国乃至世界经济社会发展带来哪些影响?带着这些疑问,笔者走进晶能光电(江西)有限公司进行了一番探寻。
 
  背景
  LED照明
  比普通白炽灯节能90%
  说到硅衬底LED技术,市民或许会觉得概念太高深而难以理解,但是看到LED汽车前大灯、LED手机闪光灯、LED强光手电这些日常生活用品,就能有个直观感受,硅衬底LED技术就是让这些照明产品发光的技术。
  LED作为第四代照明光源,具有高效、使用寿命长、节能、环保等优点,走进了千家万户,在全球的渗透率越来越高。因而节能环保的LED照明产业,也成为国内外重点发展的战略性新兴产业。
  “对普通老百姓而言,使用LED新型照明光源,其照明度比普通日光灯高1倍,发光效率比普通白炽灯节能90%。”晶能光电联合创始人、南昌大学副校长江风益教授介绍说,LED照明具有重大节能减排价值。

  专利壁垒
  限制国内LED产业发展
  目前,全球LED产业规模呈快速增长之势,据预测,到2020年全球LED照明市场将达到1000亿美元,已形成美国、欧洲、亚洲三足鼎立的产业分布与市场竞争格局,其中亚洲以日本、韩国、中国为主。
  国际上现有三条LED照明技术路线,分别是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底氮化镓基LED技术(以下简称硅衬底LED技术)路线。目前,第一条蓝宝石LED技术路线是产业界采用的主流技术路线,第二条碳化硅LED技术路线属“贵族”路线。这两条技术路线的核心发明专利分别被日、美等国垄断,对我国LED产业发展形成专利壁垒。
  我国LED照明产业起步较晚,但是发展迅猛。目前全球70%的LED照明产品在中国生产制造,我国LED生产企业数量在2万家以上,然而销量却未与之形成正比。
  “2010年以后,国内开始发展LED产业,市场主流是引进蓝宝石衬底技术的方式,但是国外专利体系完备,形成了专利封锁线,国内产品很难往外面卖,国外产品在国内利润又很高。”晶能光电(江西)有限公司外研中心副总裁付羿博士说。

  突围
  瞄准硅衬底LED技术寻求突破
  虽然我国是LED制造大国,并已进入LED产业的繁荣时期,但繁荣背后却是多数企业和资本的低效率。归结原因,主要是我国90%以上的LED生产企业均在跟踪模仿国外的技术,大部分企业缺少核心专利技术及品牌,同质化严重,通过拼价格、拼规模、拼投资,在中低端照明市场挣扎。
  一边是日本的蓝宝石衬底,一边是美国的碳化硅衬底,市场布满了LED巨头精心埋下的专利地雷,如何在重重夹击和垄断中突出重围另辟新径?江风益教授的研发团队从2003年开始,就瞄准了硅衬底LED技术。
  据了解,硅作为一种衬底材料,与蓝宝石和碳化硅相比,具有低成本、大尺寸、高质量、能导电等优点,被认为是业界梦寐以求的生长氮化镓蓝光LED的衬底材料。采用硅衬底技术的LED芯片散热好,产品抗静电性能好、寿命长,可承受的电流密度高,适用于大功率LED照明,且由于硅芯片的单面出光,光指向性好、光品质好的特点,使其在LED手机闪光灯、汽车照明、高端室内照明等对光品质及方向性要求更高的领域极具优势。
  “南昌创造的硅衬底LED技术诞生,相当于在全球范围发明了一种新的光源,改变了全球LED产业格局,使得中国拥有了国际上第三条LED照明技术路线。”江风益教授告诉记者,硅衬底LED技术使我国这一产业从根本上避开了与蓝宝石衬底、碳化硅衬底两条技术路线发生专利纠纷。

  攻克世界难题点亮“中国芯”
  “我们开始做的时候,美国IBM公司30年前就做了,IBM是一个世界性的公司,他们有的是人力物力财力去做这件事,但没有做成,放弃了。在这种情况下,我们把这个技术捡过来,继续做。”江风益教授说。
  在硅上制备高光效GaN基LED一直是学术界梦寐以求的目标。然而由于硅和GaN巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差,以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决,致使业界普遍认为,在硅上制备高光效GaN基LED是不可能的事,硅衬底GaN基LED路线几乎被判“死刑”。
  经过数千次实验,南昌硅衬底LED项目技术研发团队终于在国际上率先攻克了这一世界难题。同时,在晶能光电每年8000万元以上研发经费的推动下,所生产的硅衬底LED产品各项指标在同类研究中均处于国际领先水平,并与前两条技术路线持平。目前,晶能光电围绕硅衬底LED技术已经申请或拥有国际国内专利330多项,已授权专利147项,其中国际专利47项。
  “当时国内外几十家在做,我们比较幸运,从跟踪到跨越,很快就突破了里面的关键技术,突破了人家30多年没有解决的问题。”江风益教授说。从2003年开始,经过一年多技术攻关,硅衬底LED取得突破性进展,开发了硅衬底氮化镓基LED材料与器件技术;2005年实验室出产品,点亮中国“芯”,打破日美垄断,形成全球LED技术三足鼎立局面。

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