12月2日，半导体厂商罗姆（ROHM）在清华大学“清华-罗姆电子工程馆”内举办交流学习会，分享SiC功率元器件技术动向和ROHM的SiC功率元器件产品。
                                          

　　ROHM功率元器件制造部商品企划课课长小西孝彦，ROHM（深圳）分立元器件部高级经理水原德健，ROHM（上海）宣传企画课经理西渡希夫，ROHM（上海）宣传企画课媒体担当张嘉煜在现场与数十家媒体进行充分交流学习。
　　ROHM（深圳）分立元器件部高级经理水原德健在PPT中引用了市场调研公司Yole资料显示，从2010年到2015年，全世界SiC功率元器件市场需求保持每年26%的增长趋势，而从2015年到2020年将以每年39的需求量增长。至2020年，SiC功率元器件的需求将达到7.7亿美元。
　　水原德健介绍，碳化硅是碳和硅按1:1的比例结合的IV-IV族化合物半导体，具有结合力强的特征，相对于硅半导体具有低导通电阻，高耐压减少开关损耗等优点。
　　SiC功率半导体在太阳能功率调节器中用于肖特基二极管（SBD）材料，可使功率提高0.5%-1.0%。SiC SBD在开关电源中使用，可使效率提高0.5%-1.0%。SiC元器件还在电动/混合电动汽车（EV/HEV）的车载充电器，动力传动系统中运用，以及在工业设备、重型电机中运用。
　　水原德健还介绍了ROHM生产的SiC元器件在市场上的采用情况。目前，ROHM生产的SiC元器件在EV车载充电器中被更多的采用，在空调、脉冲发生器中也被使用，
　　资料显示，ROHM于2007年就与京都大学等确立了Sic外延膜量产技术；2009年，ROHM收购了SiC晶圆供应商SiCrystal公司，开始将SiC元器件作为未来的战略重点；2011年，ROHM 4 inch晶圆开始量产；2013年，6 inch晶圆开始量产；Sic SBD和Sic DMOS均在2010年量产使用；功率模块方面，202年3月也实现量产。
　　水原德健在培训交流中讲到，目前SiC功率半导体由于价格偏昂贵，因此市场份额上不足硅半导体的10%，但随着SiC技术成熟和工艺改进，成本将逐渐下降。由于SiC元器件在很多方面极大的优于硅半导体，因此未来成长空间极大。
　　ROHM在中国主要区域开设了销售基地，使开发、销售、生产成为一个整体，以解决客户的问题。