图中Lm：励磁电感、Llk1：初级漏感、Llk2：次级漏感。

    假定：若磁芯带有空气隙，其磁导G 远小于铁氧体，所以在计算磁路磁导时忽略铁氧体的磁导，而只计空气隙的磁导;由于高频变压器线圈匝数一般很少，可以忽略变压器线圈电阻，因此在MOS管导通期内变压器初级电流呈线性上升;在任何时候磁芯都无磁通饱和，即应选取饱和磁通密度高，且有足够大的磁路截面积的磁芯;反激设计合理，在最小电压输入最大功率输出时，初级线圈处于临界连续模式，MOSFET 导通瞬间有电流I=0，MOSFET关断时有变压器初级峰值电流Ipk。

    励磁电感的推导

    若选定芯片最大导通占空比为Don max，则MOSFET 最大导通时间：

    假定Klk=0.95，η=0.75，则一个周期内变压器储存并释放的总能量：

    同时，能量来自MOSFET 导通时段初级线圈储能：

    励磁电感Lm=Klk=Lp。

    反激电压Uf 的确定及MOS 管的选取

图3 示出反激电源工作时MOSFET 漏-源极电压uds 波形

    假设滤波电容足够大，在拓扑电路反激过程中，励磁电感放电电流iLm 也是线性变化，如图4 所示。

图4 Ilm与Uds的关系

    MOSFET 关断时电压均值等于输入电压与变压器反激电压之和。由图4可见，MOSFET 关断时有一个尖峰噪声电压，该噪声电压和泄放回路的设计、MOS 管的关断速度这两个因素有关。设计Uf 时必须考虑变压器饱和磁通密度、MOS 管的耐压值、PWM芯片的最大导通时间。如图4 所示，若tint=0，电源工作在临界连续模式。tint 阶段变压器无电能传递，所以理论上Uf 应尽量小。如果Uf 设计合理，则在最小输入电压及最大功率输出时tint=0，电源工作在临界连续模式。此时：

    由此式可估计出Uf。选取MOS 管耐压应超过峰值电压，电流额定值大于Ipk，导通时电阻越小越好。