到2013年底或者2014年初，格罗方德预计将会首次开始量产其20纳米芯片，我们将可以看到从28纳米到20纳米的全节点过渡，同时栅极密度将会达到双倍级别，进而导致产品性能提升高达35%乃至更多。由于各种原因，格罗方德将会于20纳米时代转至Gate Last技术，因为明显Gate First技术在20纳米制造工艺上并不具备优势，至少不像28纳米或者32纳米时代那样。另外格罗方德的产品将从28纳米时代的三大类别压缩到两大类别 。而LPH和SLP技术也将会进化到一种叫作LPM的技术，而HPP则会过渡到SHP阶段，在这里LPM将会覆盖大部分的产品，而SHP则将会面向格罗方德所谓的“极高端性能”产品，比如说芯片频率在4GHz以及更高水平的产品。在格罗方德从28纳米过渡到20纳米之后，除了性能的提升之外，还可以看到新工艺带来其它好处 ，比如说功耗降低30%到50%。

在20纳米之后，格罗方德的未来并不那么清晰。虽然格罗方德的路线图将下一场变革指向了14纳米工艺，但是这一过渡在路线图里显示是在2014年或者2015年的，这就是说格罗方德预计最早会于明年下半年在Fab 8工厂安装测试设备，该设备将采用EUV技术，而该技术在低于20纳米的工艺上是必须的。此外是否使用3D FinFET晶体管技术，公司也还没有决定，在20纳米时代肯定仍旧用传统的平面晶体管技术。另外格罗方德还提到了3D封装，但是并未透露更多细节，不过与Amkor等封装公司的合作是确定的事情，这些都需要等待时间来回答。

相较于台积电对三星步步进逼晶圆代工极为防备，格罗方德半导体采取开放态度，与三星针对28纳米HKMG技术合作，并开放旗下共四座12寸晶圆厂供客户自由下单，目标锁定智能手机、平板电脑核心处理器订单，对台积电造成威胁。Ajit Manocha表示，格罗方德重视与三星这种IDM厂的合作关系，未来如果市场成熟，会有更多的策略合作伙伴。同时为了更好地服务于无晶圆芯片设计公司，他们已经与全球的EDA厂商、设计服务商和IP供应商组成了全球设计服务网络，可以在全球范围内支持芯片设计公司，真正体现了公司名字里面Global的涵义。

由格罗方德、IBM和三星组成的三角联盟已经给全球晶圆代工老大台积电带来了巨大的冲击，该联盟的技术、资本和规模都已经不落下风，由此可能带来整个半导体代工产业的洗牌，让我们拭目以待好戏的上演。