MOCVD技术的发展与化合物半导体材料研究和器件制造的需求紧密相关，反过来又促进了新型器件的研制，目前各种主要类型的化合物半导体器件制作中都用到了MOCVD技术。用于制作系列高端器件：HEMT、PHEMT、HFET、HBT、量子阱激光器，垂直腔面激光器、SEED、红外级联激光器、微腔、量子阱光折变器、异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、太阳能电池、激光器、光探测器、场效应晶体管以及发光二极管(LED)，极大地推动了微电子、光电子技术的发展，取得了举世瞩目、惊人的成就。

目前用于军事电装备的微波毫米器件、高温半导体器特别是先进的光电子器件，都采用MOCVD和MBE为主流技术进行薄膜材料生长，这些高端器件直接影响着军事装备的功能、性能和先进性。为了国家的安全和营造经济建设的和平环境，不断提高我国军事力量，是关系到国家安危头等大事。国防建设迫切需要发展MOCVD技术。

五、MOCVD技术在光电方面的发展趋势

目前的主要发展趋势是：

1、向高投片量、向高产量方向发展;

2、基片向大尺寸方向发展;

3、薄膜厚度向薄层、超薄层方向发展，超晶格、量子阱、量子线、量子点材料和器件研究十分火热。量子阱器件、量子点激光器已问世，其发展潜力无可估量，成为向纳米电子技术进军的基地;

4、薄膜结构区域向微细化，组分向多元化方向发展。满足器件多功能、小尺寸、低功耗、高功率密度、便于集成的发展要求;

5、多种衬底上异质材料的生长同时并进开发，GaAs技术目前最为成熟，充分发挥InP衬底的优异性能，挖掘lnP衬底的潜力的研究正在广泛进行;

6、宽带隙的材料研究受到高度重视，特别是以CaN为代表的第三代半导体材料的研究，已成为各国业内科学家研发的热点;SiC材料已研制成功许多性能优异的器件，如MOSFET、MESFET、JFET等。

MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。