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晶片商抢推高整合LED驱动器
[发布时间]:2012年12月4日 [来源]:21ic [点击率]:1767
【导读】: 半导体业者竞相开发高整合度发光二极体(LED)照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)产能吃紧之下,LED照明系统商正面临出货递延的窘境,因此晶片商正加紧发表整合高压MO...

半导体业者竞相开发高整合度发光二极体(LED)照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)产能吃紧之下,LED照明系统商正面临出货递延的窘境,因此晶片商正加紧发表整合高压MOSFET的LED照明驱动IC方案,让LED照明系统客户免于高压MOSFET缺货之苦。

恩智浦区域市场总监王永斌表示,调光与非调光LED驱动IC和LED灯具的谐振控制器皆需要高压MOSFET,因此恩智浦将透过高整合LED驱动IC方案确保客户掌握货源无虞。

恩智浦(NXP)区域市场总监王永斌表示,2013年LED照明市场将会更加蓬勃发展,然目前LED照明系统开发商却因为高压MOSFET严重缺货,而陷入拥有众多订单却无法出货的困境,难以在市场上大施拳脚。

为避免因高压MOSFET供货不足影响市场扩展进度,包括恩智浦、意法半导体(ST)、包尔英特(PI)等晶片制造商,已纷纷推出整合高压MOSFET的LED照明驱动IC方案,以确保客户LED照明产品出货无虞,同时借机壮大在LED照明驱动IC的市场版图。

恩智浦大中华区照明产品市场经理张伟超指出,为生产整合高压MOSFET的LED照明驱动IC,须具备高压制程,不过,囿于高压制程技术门槛过高,并非所有的晶片商皆有能力发展,因此预期在此波缺货风潮下,恐将出现LED照明驱动IC供应商势力消长的态势。

为大举插旗高整合度LED驱动IC方案市场,王永斌强调,恩智浦已将原先SOI-HV高压制程转换为更适用于LED照明应用的ABCD3制程,预计2013年启动量产,该制程不仅更适合整合高压MOSFET,并可减少漏电流,同时省却LED照明应用不必要的功能,能量产出更高性价比的LED驱动IC产品。

除强化高压制程技术外,由于现阶段仅有意法半导体、东芝(Toshiba)及??英飞凌(Infineon)等少数高压MOSFET制造商供货,因此为确保高整合方案能顺利开发,恩智浦也已做好万全的备料准备。

张伟超透露,恩智浦预估2012年下半年LED照明市场规模将急速扩张,因此已提早向高压MOSFET业者采购产品,现今能保证客户在六至八周内即可取得高整合度LED照明驱动IC方案,未来更将缩短至三至四周即可取货。此外,恩智浦亦有计画投资高压MOSFET厂商,以掌握更稳定的供货来源。

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