抽头式电感的另一个后果是U1中开关MOSFET的源极上额外的负电压偏移，因为这时续流二极管无法直接将这个电压钳位至低于输出共轨的二极管压降。MOSFET上的额外负电压将是降压输出电压加上二极管压降，再乘以续流绕组的全部电感绕组的匝数比所得。采用上述多线线圈绕组技术，这个尖峰应当可以最小化；但视乎MOSFET的额定电压，在开关节点至输出共轨间可增加一个小型电阻/电容(R/C)缓冲器(R4及C8)，能够消除尖峰。假定通用主电源在高压(270Vac)输入，MOSFET上的峰值电压将是在500V左右，在NCP1014的700V额定值以下。

另外一个受抽头式电感影响的问题是输出电容C4的额定纹波电流。MOSFET关闭时，电感电流中突兀的电流步幅将被电容感测到，而这个电流步幅的均方根(RMS)值将接近峰-峰值电流步幅的一半，显著高于常规降压输出电容通常所经受的“良性”三角电流。视乎电容等效串联电阻(ESR)，可能需要使用多个并行输出电容，不仅是要处理增加的纹波电流，还要控制在电容ESR的峰-峰值电压纹波。对于要求极低输出纹波的应用而言，可能需要使用两段式“π”网络输出滤波器，以及增加一个4.7μH小片电感及另一个跟随它的输出电容。