众所周知，对于微波频率范围内的激励，可以用正形投影技术来证明最佳间隙的存在。研究表明，在中频范围内（即功换频率范围）也同样存在最佳间隙。

图6 最佳间隙与频率的函数关系

2.2边缘效应与绕组位置的关系

在这里讨论的前提是：绕组层间的间隙Ds保持不变，铁心中绕组的位置通过调节Dr1和Dr2的值而改变。在此要考虑两种情况：①是Dr1=Dr2，且从O值（两个绕组都与铁心的中心柱接触时的值）变化到最大值（两个绕组都与铁心的外壳接触时的值），而Ds保持不变；②如图7所示，两个绕组互相移位，Dr1与Dr2的值不同，它们的值各自从O值变化到最大值。最糟的情况是一个导体接触铁心的中心柱，而另一个导体接触铁心的外壳。

图7 状况Ⅲ，铁心中的绕组位置

状况Ⅰ：图8和图9分别示出了在Dr1(=Dr2)=2mm时，中央界面区和沿窗口区域中心线的磁场强度的Z分量。边缘效应对薄带绕组未端区域的磁场和电流分布有很强的影响，而且由于边缘效应影响磁场的值，绕组间的磁场是不稳定的；这种不稳定在界面区引起电流聚集。Dr1(=Dr2)的值越大，边缘效应的影响就越严重，交流电阻和漏感就变得越大。我们还计算了在500KHz时具有不同Dr1(=Dr2)值的绕组结构的交流电阻、漏感和交流电阻（见表1）。表1表明，交流电阻和漏感随Dr1(=Dr2)从O值变化到最大值且单凋递增。